VS-8EWS10STR-M3 | Vishay General Semiconductor – Diodes Division VS-8EWS10STR-M3

VS-8EWS10STR-M3

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部品番号	VS-8EWS10STR-M3
LIXINC Part #	VS-8EWS10STR-M3
メーカー	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
カテゴリー	ディスクリート半導体 › ダイオード - 整流器 - シングル
説明	DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
ライフサイクル	アクティブ
RoHS	RoHS情報なし
EDA/CAD モデル	VS-8EWS10STR-M3 PCBフットプリントとシンボル
倉庫	アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日	May 21 - May 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証	最長1年【限定保証】*
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VS-8EWS10STR-M3 仕様

部品番号:	VS-8EWS10STR-M3
ブランド:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
ライフサイクル:	Active
RoHS:	Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:	ディスクリート半導体
サブカテゴリ:	ダイオード - 整流器 - シングル
メーカー:	Vishay General Semiconductor – Diodes Division
シリーズ:	-
パッケージ:	Tape & Reel (TR)
部品の状態:	Active
ダイオードタイプ:	Standard
電圧 - DC 逆 (vr) (最大):	1000 V
電流 - 平均整流 (io):	8A
電圧 - 順方向 (vf) (最大) @ if:	1.1 V @ 8 A
スピード:	Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間 (trr):	-
電流 - 逆漏れ @ vr:	50 µA @ 1000 V
静電容量 @ vr, f:	-
取付タイプ:	Surface Mount
パッケージ・ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ:	D-PAK (TO-252AA)
動作温度 - ジャンクション:	-55°C ~ 150°C

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SSL24 R5G	DIODE SCHOTTKY 40V 2A DO214AA	893 注文の詳細
JAN1N647-1	DIODE GEN PURP 400V 400MA DO35	994 注文の詳細
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STPS2150A	DIODE SCHOTTKY 150V 2A SMA	828 注文の詳細
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S5X	DIODE STD SMC 1800V 5A	975 注文の詳細
HS1GFS M3G	50NS, 1A, 400V, HIGH EFFICIENT R	7826 注文の詳細
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ES1A M2G	DIODE GEN PURP 50V 1A DO214AC	897 注文の詳細