MUN5212DW1T1G

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部品番号 MUN5212DW1T1G
LIXINC Part # MUN5212DW1T1G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
説明 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MUN5212DW1T1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 May 21 - May 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MUN5212DW1T1G 仕様

部品番号:MUN5212DW1T1G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - バイポーラ (bjt) - アレイ、プリバイアス
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
トランジスタタイプ:2 NPN - Pre-Biased (Dual)
電流 - コレクター (ic) (最大):100mA
電圧 - コレクタ エミッタ ブレークダウン (最大):50V
抵抗 - ベース (r1):22kOhms
抵抗 - エミッターベース (r2):22kOhms
DC 電流ゲイン (hfe) (最小) @ ic、vce:60 @ 5mA, 10V
vce 飽和 (最大) @ ib、ic:250mV @ 300µA, 10mA
電流 - コレクタ カットオフ (最大):500nA
周波数 - 遷移:-
パワー - 最大:250mW
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
サプライヤー デバイス パッケージ:SC-88/SC70-6/SOT-363

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