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部品番号 | BSC0910NDIATMA1 |
LIXINC Part # | BSC0910NDIATMA1 |
メーカー | IR (Infineon Technologies) |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 25V 16A/31A TISON8 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSC0910NDIATMA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 13 - Jun 17 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSC0910NDIATMA1 |
ブランド: | IR (Infineon Technologies) |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | IR (Infineon Technologies) |
シリーズ: | OptiMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical |
フェチ機能: | Logic Level Gate, 4.5V Drive |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 25V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 11A, 31A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4.6mOhm @ 25A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 6.6nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 4500pF @ 12V |
パワー - 最大: | 1W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-PowerTDFN |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TISON-8 |
ALD114904ASAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8SOIC | 837 注文の詳細 |
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FDW2521C | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET | 1217 注文の詳細 |
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ZXMN6A11DN8TA | MOSFET 2N-CH 60V 2.5A 8-SOIC | 5309 注文の詳細 |
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DMC2990UDJ-7 | MOSFET N/P-CH 20V SOT963 | 1290210874 注文の詳細 |
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SI4925BDY-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC | 835 注文の詳細 |
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NX1029X,115 | MOSFET N/P-CH 60V/50V SOT666 | 43214 注文の詳細 |
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DMN5L06DWK-7-01 | MOSFET BVDSS: 41V-60V SOT363 | 2736862 注文の詳細 |
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SIZ340BDT-T1-GE3 | DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET | 962 注文の詳細 |
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NTHD4508NT1G | MOSFET 2N-CH 20V 3A CHIPFET | 6767 注文の詳細 |
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RJK03C0DPA-WS#J5A | N-CHANNEL POWER SWITCHING | 3492 注文の詳細 |
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DMG4822SSDQ-13 | MOSFETDUAL N-CHAN 30VSO-8 | 5230 注文の詳細 |
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AON6810 | MOSFET 2N-CH 30V 25A 8-DFN | 815 注文の詳細 |
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NX6020CAKSX | NX6020CAKS - 60V/50V, 170MA /160 | 1746928 注文の詳細 |
在庫あり | 15351 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.22000 | $2.22 |
5000 | $1.02022 | $5101.1 |
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