MMDF2C03HDR2G

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部品番号 MMDF2C03HDR2G
LIXINC Part # MMDF2C03HDR2G
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 P-CHANNEL POWER MOSFET
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル MMDF2C03HDR2G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 03 - Jun 07 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

MMDF2C03HDR2G 仕様

部品番号:MMDF2C03HDR2G
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:-
パッケージ:Bulk
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N and P-Channel
フェチ機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):30V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:4.1A, 3A
(最大) @ id、vgs の rds:70mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:3V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:16nC @ 10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:630pF @ 24V
パワー - 最大:2W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SOIC

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