NVMFD5C650NLT1G

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部品番号 NVMFD5C650NLT1G
LIXINC Part # NVMFD5C650NLT1G
メーカー Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 60V 111A S08FL
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NVMFD5C650NLT1G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 May 21 - May 25 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVMFD5C650NLT1G 仕様

部品番号:NVMFD5C650NLT1G
ブランド:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Standard
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:21A (Ta), 111A (Tc)
(最大) @ id、vgs の rds:4.2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.2V @ 98µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:16nC @ 4.5V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:2546pF @ 25V
パワー - 最大:3.5W (Ta), 125W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-PowerTDFN
サプライヤー デバイス パッケージ:8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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