参考まで
部品番号 | CSD85301Q2 |
LIXINC Part # | CSD85301Q2 |
メーカー | Texas Instruments |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 20V 5A 6WSON |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | CSD85301Q2 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 18 - May 22 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | CSD85301Q2 |
ブランド: | Texas Instruments |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Texas Instruments |
シリーズ: | NexFET™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate, 5V Drive |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 27mOhm @ 5A, 4.5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.2V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 5.4nC @ 4.5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 469pF @ 10V |
パワー - 最大: | 2.3W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 6-WDFN Exposed Pad |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-WSON (2x2) |
APTM50AM24SG | MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6 | 827 注文の詳細 |
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DMN2019UTS-13 | MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8 | 45739 注文の詳細 |
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FDG6321C | MOSFET N/P-CH 25V 500/410MA SC88 | 975 注文の詳細 |
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TSM300NB06DCR RLG | DUAL N-CHANNEL POWER MOSFET 60V, | 5815 注文の詳細 |
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AO7800 | MOSFET 2N-CH 20V SC70-6 | 931 注文の詳細 |
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FDMC8030 | MOSFET 2N-CH 40V 12A 8POWER33 | 9948 注文の詳細 |
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CAB425M12XM3 | 1.2KV, 425A SWITCHING LOSS OPTIM | 888 注文の詳細 |
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CPH6635-TL-H | SMALL SIGNAL N AND P-CH MOSFET | 399803 注文の詳細 |
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BSG0811NDATMA1 | MOSFET 2N-CH 25V 19A/41A 8TISON | 8588 注文の詳細 |
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ALD114935PAL | MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP | 815 注文の詳細 |
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DMN62D0UT-7 | MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT523 | 3056 注文の詳細 |
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IRF7319TRPBF | MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC | 938 注文の詳細 |
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NTMD6N02R2 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 22376 注文の詳細 |
在庫あり | 19186 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.67000 | $0.67 |
3000 | $0.22208 | $666.24 |
6000 | $0.20775 | $1246.5 |
15000 | $0.20059 | $3008.85 |
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