参考まで
| 部品番号 | FDW2506P |
| LIXINC Part # | FDW2506P |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | FDW2506P PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | FDW2506P |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | PowerTrench® |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Obsolete |
| フェチタイプ: | 2 P-Channel (Dual) |
| フェチ機能: | Logic Level Gate |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 5.3A |
| (最大) @ id、vgs の rds: | 22mOhm @ 5.3A, 4.5V |
| vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 34nC @ 4.5V |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1015pF @ 10V |
| パワー - 最大: | 600mW |
| 動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ: | Surface Mount |
| パッケージ・ケース: | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-TSSOP |
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SQJ912BEP-T1_GE3 | MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L | 2211 注文の詳細 |
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PMDPB85UPE,115 | NOW NEXPERIA PMDPB85UPE - SMALL | 110108 注文の詳細 |
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DMN61D8LVT-13 | MOSFET 2N-CH 60V 0.63A TSOT26 | 995 注文の詳細 |
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DMHC3025LSD-13 | MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO | 860 注文の詳細 |
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MSCSM70AM10CT3AG | PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP3F | 903 注文の詳細 |
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FDS6990A | MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOIC | 2195 注文の詳細 |
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PMV100ENEA,215 | 3A, 30V, N CHANNEL, SILICON, MOS | 920 注文の詳細 |
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SIZ904DT-T1-GE3 | MOSFET 2N-CH 30V 12A POWERPAIR | 3832 注文の詳細 |
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DMN2016LFG-7 | MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8UDFN | 909 注文の詳細 |
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UT6K30TCR | UT6K30 IS LOW ON - RESISTANCE AN | 5667 注文の詳細 |
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MCM3400A-TP | N-CHANNEL,MOSFETS,DFN2020-6L PAC | 4337 注文の詳細 |
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CSD87333Q3DT | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8VSON | 1805 注文の詳細 |
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DMN2005DLP4K-7 | MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN | 105052 注文の詳細 |
| 在庫あり | 263492 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
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