BSO615NGHUMA1

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部品番号 BSO615NGHUMA1
LIXINC Part # BSO615NGHUMA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
説明 MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル BSO615NGHUMA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 May 20 - May 24 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

BSO615NGHUMA1 仕様

部品番号:BSO615NGHUMA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:SIPMOS®
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:2 N-Channel (Dual)
フェチ機能:Logic Level Gate
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:2.6A
(最大) @ id、vgs の rds:150mOhm @ 2.6A, 4.5V
vgs(th) (最大) @ ID:2V @ 20µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:20nC @ 10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:380pF @ 25V
パワー - 最大:2W
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-DSO-8

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