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部品番号 | PHKD6N02LT,518 |
LIXINC Part # | PHKD6N02LT,518 |
メーカー | Nexperia |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
説明 | MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | PHKD6N02LT,518 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 16 - May 20 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | PHKD6N02LT,518 |
ブランド: | Nexperia |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
メーカー: | Nexperia |
シリーズ: | TrenchMOS™ |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | 2 N-Channel (Dual) |
フェチ機能: | Logic Level Gate |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 10.9A |
(最大) @ id、vgs の rds: | 20mOhm @ 3A, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 1.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15.3nC @ 5V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 950pF @ 10V |
パワー - 最大: | 4.17W |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
IRF7306PBF | AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL | 849 注文の詳細 |
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AO5804EL | MOSFET N-CH SC89-3 | 885 注文の詳細 |
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AOC2800 | MOSFET 2N-CH 4WLCSP | 919 注文の詳細 |
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MCMNP517-TP | MOSFET N/P-CH 12V 6A/4.1A | 867 注文の詳細 |
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AO4884L_001 | MOSFET 2N-CH 40V 10A 8SOIC | 959 注文の詳細 |
|
SP8K3FU6TB | MOSFET 2N-CH 30V 7A 8SOIC | 860 注文の詳細 |
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ZXMP3F37DN8TA | MOSFET 2P-CH 30V 5.7A 8SO | 842 注文の詳細 |
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FDMA1027PT | MOSFET 2P-CH 20V 3A MICROFET | 806 注文の詳細 |
|
SI5997DU-T1-GE3 | MOSFET 2P-CH 30V 6A PPAK CHIPFET | 957 注文の詳細 |
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IRF7325TR | MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC | 957 注文の詳細 |
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SI5513DC-T1-GE3 | MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8 | 992 注文の詳細 |
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SI9955DY | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC | 804 注文の詳細 |
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APTMC120AM08CD3AG | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | 830 注文の詳細 |
在庫あり | 10815 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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