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| 部品番号 | MRF8S21100HSR3,128 |
| LIXINC Part # | MRF8S21100HSR3,128 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| 説明 | RF S BAND, N-CHANNEL, MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | MRF8S21100HSR3,128 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jun 16 - Jun 20 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | MRF8S21100HSR3,128 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| フェチ機能: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| パワー - 最大: | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
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BUZ21P2 | 100V, N-CHANNEL POWER MOSFET | 1171 注文の詳細 |
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FDBL86210 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 25345 注文の詳細 |
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2SJ356(0)-T2-AZ | P-CHANNEL MOSFET | 37933 注文の詳細 |
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APTM20HM20STG | MOSFET 4N-CH 200V 89A SP4 | 956 注文の詳細 |
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IRFR420U | 2.5A 500V 3.000 OHM N-CHANNEL | 2975 注文の詳細 |
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FDMC0205 | N-CHANNEL POWER TRENCH MOSFET | 189540 注文の詳細 |
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DMT3020LDT-7 | MOSFET 25V~30V V-DFN3030-8 | 936 注文の詳細 |
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FS50KM-2-J1#E51 | DISCRETE / POWER MOSFET | 3472 注文の詳細 |
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HAT2043R-EL-E | 8A, 30V, N-CHANNEL MOSFET | 3499 注文の詳細 |
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MTB6N60ET4 | 6A, 600V, 1.2OHM, N-CHANNEL | 1694 注文の詳細 |
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JANSR2N7292 | 25A, 100V, 0.070 OHM, RAD HARD, | 862 注文の詳細 |
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DMT2005UDV-13 | MOSFET BVDSS: 8V-24V POWERDI3333 | 884 注文の詳細 |
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DMT47M2LDV-7 | MOSFET BVDSS: 31V-40V POWERDI333 | 12917 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10804 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $93.52000 | $93.52 |
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