参考まで
部品番号 | BSP317PL6327HTSA1 |
LIXINC Part # | BSP317PL6327HTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP317PL6327HTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 15 - Jun 19 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | BSP317PL6327HTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 250 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 430mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 4Ohm @ 430mA, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 370µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15.1 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 262 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
BUK9675-100A,118 | 23A, 100V, 0.084OHM, N-CHANNEL M | 22946 注文の詳細 |
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UF3SC120040B7S | 1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST | 1543 注文の詳細 |
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SI8424CDB-T1-E1 | MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT | 1770 注文の詳細 |
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HUF75343G3 | MOSFET N-CH 55V 75A TO247-3 | 1873 注文の詳細 |
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DMNH10H028SPS-13 | MOSFET N-CH 100V 40A PWRDI5060-8 | 10926 注文の詳細 |
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BUK6E3R4-40C,127 | PFET, 100A I(D), 40V, 0.006OHM, | 5210 注文の詳細 |
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IPLK60R1K5PFD7ATMA1 | MOSFET N-CH 600V 3.8A THIN-PAK | 5871 注文の詳細 |
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BUK7Y15-100E115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 847 注文の詳細 |
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FQPF5N50CFTU | MOSFET N-CH 500V 5A TO220F | 4417 注文の詳細 |
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SI4485DY-T1-GE3 | MOSFET P-CH 30V 6A 8SO | 3304 注文の詳細 |
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AON7380 | MOSFET N-CH 30V 24A 8DFN | 859 注文の詳細 |
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IRLR8256TRPBF | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK | 3854 注文の詳細 |
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SFU9220TU | P-CHANNEL POWER MOSFET | 60736 注文の詳細 |
在庫あり | 10807 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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