TP65H480G4JSG-TR

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部品番号 TP65H480G4JSG-TR
LIXINC Part # TP65H480G4JSG-TR
メーカー Transphorm
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル TP65H480G4JSG-TR PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 15 - Jun 19 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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TP65H480G4JSG-TR 仕様

部品番号:TP65H480G4JSG-TR
ブランド:Transphorm
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Transphorm
シリーズ:-
パッケージ:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:GaNFET (Gallium Nitride)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):650 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:3.6A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):8V
(最大) @ id、vgs の rds:560mOhm @ 3.4A, 8V
vgs(th) (最大) @ ID:2.8V @ 500µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:8 V @ 8 nC
vgs (最大):±18V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:400 V @ 760 pF
フェチ機能:-
消費電力 (最大):13.2W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:3-PQFN (5x6)
パッケージ・ケース:3-SMD, Flat Lead

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