参考まで
部品番号 | TP65H480G4JSG-TR |
LIXINC Part # | TP65H480G4JSG-TR |
メーカー | Transphorm |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | TP65H480G4JSG-TR PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 15 - Jun 19 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | ![]() |
運送 | ![]() |
部品番号: | TP65H480G4JSG-TR |
ブランド: | Transphorm |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Transphorm |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.6A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 8V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 560mOhm @ 3.4A, 8V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.8V @ 500µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 8 V @ 8 nC |
vgs (最大): | ±18V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 400 V @ 760 pF |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 13.2W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 3-PQFN (5x6) |
パッケージ・ケース: | 3-SMD, Flat Lead |
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SIHB22N60EF-GE3 | MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK | 1040 注文の詳細 |
在庫あり | 11273 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $3.70000 | $3.7 |
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