参考まで
部品番号 | SQP50P03-07_GE3 |
LIXINC Part # | SQP50P03-07_GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 30V 50A TO220AB |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SQP50P03-07_GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 30 - Jun 03 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SQP50P03-07_GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® |
パッケージ: | Cut Tape (CT) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 50A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 7mOhm @ 30A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 155 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 5380 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 150W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-220AB |
パッケージ・ケース: | TO-220-3 |
IXFT88N30P | MOSFET N-CH 300V 88A TO268 | 998 注文の詳細 |
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HUFA76445P3 | MOSFET N-CH 60V 75A TO220-3 | 1472 注文の詳細 |
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TK40S10K3Z(T6L1,NQ | MOSFET N-CH 100V 40A DPAK | 841 注文の詳細 |
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IPB017N06N3GATMA1 | MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7 | 1466 注文の詳細 |
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R6018JNJGTL | MOSFET N-CH 600V 18A LPTS | 1925 注文の詳細 |
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FDP6676 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 21070 注文の詳細 |
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FDMA7630 | MOSFET N-CH 30V 11A 6MICROFET | 6744 注文の詳細 |
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PMXB43UNEZ | MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3 | 28013 注文の詳細 |
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SIHF5N50D-E3 | MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220 | 1840 注文の詳細 |
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TPIC1501ADWR | N-CHANNEL POWER MOSFET | 18807 注文の詳細 |
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BUK9615-100E,118 | MOSFET N-CH 100V 66A D2PAK | 1895 注文の詳細 |
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STB3NK60ZT4 | MOSFET N-CH 600V 2.4A D2PAK | 2369 注文の詳細 |
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FQD6N25TM | MOSFET N-CH 250V 4.4A DPAK | 3327 注文の詳細 |
在庫あり | 11140 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.14000 | $2.14 |
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