参考まで
部品番号 | G3R40MT12D |
LIXINC Part # | G3R40MT12D |
メーカー | GeneSiC Semiconductor |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | G3R40MT12D PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | G3R40MT12D |
ブランド: | GeneSiC Semiconductor |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | GeneSiC Semiconductor |
シリーズ: | G3R™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 1200 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 71A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 15V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 48mOhm @ 35A, 15V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.69V @ 10mA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 106 nC @ 15 V |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 2929 pF @ 800 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 333W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-247-3 |
パッケージ・ケース: | TO-247-3 |
SI1427EDH-T1-BE3 | MOSFET P-CH 20V 2A/2A SC70-6 | 3828 注文の詳細 |
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HUF75645S3ST_NL | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1211 注文の詳細 |
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FQB70N10TM | N-CHANNEL POWER MOSFET | 1646 注文の詳細 |
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AO3400A | MOSFET N-CH 30V 5.7A SOT23-3L | 817 注文の詳細 |
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FDP032N08-F102 | MOSFET N-CHANNEL 75V 120A TO220 | 913 注文の詳細 |
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DMN2020UFCL-7 | MOSFET N-CH 20V 9A X1-DFN1616-6 | 940 注文の詳細 |
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FQA6N90C-F109 | MOSFET N-CH 900V 6A TO3PN | 1228 注文の詳細 |
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IRLR2905TRPBF | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 906 注文の詳細 |
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DMNH10H028SCT | MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB | 1266 注文の詳細 |
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BUK7611-55A,118 | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | 5726 注文の詳細 |
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SSM3J64CTC,L3F | MOSFET P-CH 12V 1A CST3C | 20208 注文の詳細 |
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FQB11N40CTM | MOSFET N-CH 400V 10.5A D2PAK | 1232 注文の詳細 |
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SIHA20N50E-E3 | MOSFET N-CH 500V 19A TO220 | 856 注文の詳細 |
在庫あり | 11275 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $17.52000 | $17.52 |
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