参考まで
部品番号 | SI3467DV-T1-GE3 |
LIXINC Part # | SI3467DV-T1-GE3 |
メーカー | Vishay / Siliconix |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET P-CH 20V 3.8A 6TSOP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | SI3467DV-T1-GE3 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | SI3467DV-T1-GE3 |
ブランド: | Vishay / Siliconix |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Vishay / Siliconix |
シリーズ: | TrenchFET® |
パッケージ: | Tape & Reel (TR) |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | P-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 20 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 3.8A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 54mOhm @ 5A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 13 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.14W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 6-TSOP |
パッケージ・ケース: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
SSM3J331R,LF | MOSFET P-CH 20V 4A SOT23F | 3418 注文の詳細 |
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IPS050N03LG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 2473 注文の詳細 |
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IPP045N10N3GXKSA1 | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | 10509 注文の詳細 |
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TBB1012MMTL-E | RF N-CHANNEL MOSFET | 54957 注文の詳細 |
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PMN52XP115 | P-CHANNEL MOSFET | 636954 注文の詳細 |
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STF19NM50N | MOSFET N-CH 500V 14A TO220FP | 1493 注文の詳細 |
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IRLS3034TRLPBF | MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK | 955 注文の詳細 |
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FCD1300N80Z | MOSFET N-CH 800V 4A DPAK | 3395 注文の詳細 |
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IXFX40N90P | MOSFET N-CH 900V 40A PLUS247-3 | 1361 注文の詳細 |
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TP2104N3-G-P003 | MOSFET P-CH 40V 175MA TO92-3 | 984 注文の詳細 |
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SIJ470DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 100V 58.8A PPAK SO-8 | 1153 注文の詳細 |
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STB20N95K5 | MOSFET N-CH 950V 17.5A D2PAK | 3553 注文の詳細 |
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STI18N65M2 | MOSFET N-CH 650V 12A I2PAK | 1826 注文の詳細 |
在庫あり | 10805 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.20289 | $0.20289 |
3000 | $0.20289 | $608.67 |
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