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| 部品番号 | 2SK2114-E |
| LIXINC Part # | 2SK2114-E |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | 2SK2114-E PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | May 22 - May 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | 2SK2114-E |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
 |
DMP2067LVT-13 | MOSFET P-CH 20V 4.2A TSOT26 | 906 注文の詳細 |
 |
IRFD123 | MOSFET N-CH 100V 1.3A 4DIP | 41288 注文の詳細 |
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NTP18N06L | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB | 1810 注文の詳細 |
 |
RM6N800TI | MOSFET N-CHANNEL 800V 6A TO220F | 802 注文の詳細 |
 |
NTD20N06-001 | MOSFET N-CH 60V 20A IPAK | 4323 注文の詳細 |
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IPP60R180P7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 18A TO220-3 | 1629 注文の詳細 |
 |
STL12N60M2 | MOSFET N-CH 600V 6.5A POWERFLAT | 3303 注文の詳細 |
 |
AOD5N50 | MOSFET N-CH 500V 5A TO252 | 945 注文の詳細 |
 |
IRF720 | MOSFET N-CH 400V 3.3A TO220AB | 12904 注文の詳細 |
 |
IRLI540G | MOSFET N-CH 100V 17A TO220-3 | 885 注文の詳細 |
 |
IRFR18N15DPBF-INF | HEXFET SMPS POWER MOSFET | 859 注文の詳細 |
 |
SQM100N04-2M7_GE3 | MOSFET N-CH 40V 100A TO263 | 801 注文の詳細 |
 |
SI4100DY-T1-E3 | MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO | 11462 注文の詳細 |
| 在庫あり | 16661 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $1.23000 | $1.23 |
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