参考まで
| 部品番号 | PSMN6R1-30YLD115 |
| LIXINC Part # | PSMN6R1-30YLD115 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | PSMN6R1-30YLD115 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | May 19 - May 23 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | PSMN6R1-30YLD115 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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FDD9407-F085 | MOSFET N-CH 40V 100A DPAK | 3010 注文の詳細 |
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IPA50R280CEXKSA2 | MOSFET N-CH 500V 7.5A TO220 | 1477 注文の詳細 |
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E3M0120090D | SICFET N-CH 900V 23A TO247-3 | 1278 注文の詳細 |
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AOI2N60A | MOSFET N-CH 600V 2A TO251A | 969 注文の詳細 |
 |
2SK302500L | MOSFET N-CH 60V 30A U-DL | 6529 注文の詳細 |
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PMV48XPAR | MOSFET P-CH 20V 3.5A TO236AB | 6994 注文の詳細 |
 |
PHK12NQ03LT,518-NEX | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 | 844 注文の詳細 |
 |
IRF2804STRL7PP | MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK | 882 注文の詳細 |
 |
R6024KNJTL | MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS | 1108 注文の詳細 |
 |
STW28NM60ND | MOSFET N-CH 600V 23A TO247 | 807 注文の詳細 |
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STP18N60M6 | MOSFET N-CH 600V 13A TO220 | 897 注文の詳細 |
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PSMN017-30EL,127 | MOSFET N-CH 30V 32A I2PAK | 3772 注文の詳細 |
 |
SIHU6N80E-GE3 | MOSFET N-CH 800V 5.4A IPAK | 3953 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10828 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.15000 | $0.15 |
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