参考まで
部品番号 | 3LN01C-TB-E |
LIXINC Part # | 3LN01C-TB-E |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 30V 150MA 3CP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 3LN01C-TB-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 11 - May 15 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 3LN01C-TB-E |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 30 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 150mA (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 1.5V, 4V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 3.7Ohm @ 80mA, 4V |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 1.58 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 7 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 250mW (Ta) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 3-CP |
パッケージ・ケース: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SI7812DN-T1-GE3 | MOSFET N-CH 75V 16A PPAK1212-8 | 4361 注文の詳細 |
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TQM250NB06CR RLG | MOSFET N-CH 60V 7A/32A 8PDFNU | 5906 注文の詳細 |
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BSS123 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3 | 387659 注文の詳細 |
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NVD4806NT4G | N-CHANNEL, MOSFET | 40259 注文の詳細 |
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IXFT150N17T2 | MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV | 1733 注文の詳細 |
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2SJ350 | P-CHANNEL POWER MOSFET | 1593 注文の詳細 |
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BSS138-F085 | MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 | 3493 注文の詳細 |
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STP110N7F6 | MOSFET N-CHANNEL 68V 110A TO220 | 2153 注文の詳細 |
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IPW65R065C7XKSA1 | MOSFET N-CH 650V 33A TO247-3 | 833 注文の詳細 |
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NTGS3455T1G | MOSFET P-CH 30V 2.5A 6TSOP | 898 注文の詳細 |
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ZVN4206AVSTZ | MOSFET N-CH 60V 600MA E-LINE | 134312895 注文の詳細 |
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AOI442 | MOSFET N-CH 60V 7A/37A TO251A | 992 注文の詳細 |
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RS1E150GNTB | MOSFET N-CH 30V 15A 8HSOP | 2915 注文の詳細 |
在庫あり | 10957 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.08000 | $0.08 |
3000 | $0.08000 | $240 |
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