参考まで
部品番号 | FDS2070N7 |
LIXINC Part # | FDS2070N7 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 150V 4.1A 8SO |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | FDS2070N7 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 22 - May 26 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | FDS2070N7 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | PowerTrench® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 150 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 4.1A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 6V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 78mOhm @ 4.1A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 4V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 53 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 1.884 pF @ 75 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-SO |
パッケージ・ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
IPS70R2K0CEAKMA1 | MOSFET N-CH 700V 4A TO251-3 | 2461 注文の詳細 |
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IRFR120TRPBF | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | 890 注文の詳細 |
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STF42N60M2-EP | MOSFET N-CH 600V 34A TO220FP | 4989 注文の詳細 |
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STB140NF55T4 | MOSFET N-CH 55V 80A D2PAK | 5484 注文の詳細 |
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IXTP24N65X2 | MOSFET N-CH 650V 24A TO220AB | 832 注文の詳細 |
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IPP60R250CPXKSA1 | MOSFET N-CH 650V 12A TO220-3 | 5389 注文の詳細 |
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SIR440DP-T1-GE3 | MOSFET N-CH 20V 60A PPAK SO-8 | 6331 注文の詳細 |
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DMN3009SFG-7 | MOSFET N-CH 30V 16A PWRDI3333 | 1750 注文の詳細 |
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R6011KNX | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | 1475 注文の詳細 |
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IRF5805TRPBF-INF | IRF5805 - TRANSISTOR | 3720 注文の詳細 |
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DMN62D0UW-13 | MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 | 962 注文の詳細 |
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IRFBC30APBF | MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB | 1204 注文の詳細 |
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NVMFS5C442NWFAFT1G | MOSFET N-CH 40V 29A/140A 5DFN | 940 注文の詳細 |
在庫あり | 16079 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $2.01000 | $2.01 |
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