HTNFET-D

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部品番号 HTNFET-D
LIXINC Part # HTNFET-D
メーカー Honeywell Aerospace
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 55V 8CDIP
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル HTNFET-D PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

HTNFET-D 仕様

部品番号:HTNFET-D
ブランド:Honeywell Aerospace
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Honeywell Aerospace
シリーズ:HTMOS™
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):55 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:-
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):5V
(最大) @ id、vgs の rds:400mOhm @ 100mA, 5V
vgs(th) (最大) @ ID:2.4V @ 100µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:4.3 nC @ 5 V
vgs (最大):10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:290 pF @ 28 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):50W (Tj)
動作温度:-55°C ~ 225°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:8-CDIP-EP
パッケージ・ケース:8-CDIP Exposed Pad

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