参考まで
部品番号 | HTNFET-D |
LIXINC Part # | HTNFET-D |
メーカー | Honeywell Aerospace |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 55V 8CDIP |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | HTNFET-D PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | HTNFET-D |
ブランド: | Honeywell Aerospace |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Honeywell Aerospace |
シリーズ: | HTMOS™ |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 55 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 5V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 400mOhm @ 100mA, 5V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.4V @ 100µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 4.3 nC @ 5 V |
vgs (最大): | 10V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 290 pF @ 28 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 50W (Tj) |
動作温度: | -55°C ~ 225°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | 8-CDIP-EP |
パッケージ・ケース: | 8-CDIP Exposed Pad |
TSM210N02CX RFG | MOSFET N-CHANNEL 20V 6.7A SOT23 | 2868 注文の詳細 |
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IRFU9220 | MOSFET P-CH 200V 3.6A TO251AA | 928 注文の詳細 |
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FCP22N60N | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | 1594 注文の詳細 |
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FDD6688 | MOSFET N-CH 30V 84A DPAK | 153048 注文の詳細 |
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FQP9N25C | MOSFET N-CH 250V 8.8A TO220-3 | 932 注文の詳細 |
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FDMC6688P | MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN | 886 注文の詳細 |
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DMP2023UFDF-7 | MOSFET P-CH 20V 7.6A 6UDFN | 932 注文の詳細 |
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FDN352AP | MOSFET P-CH 30V 1.3A SUPERSOT3 | 859 注文の詳細 |
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STW56N65M2 | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | 1606 注文の詳細 |
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IPD50P04P413ATMA2 | MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3 | 940 注文の詳細 |
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SIHFR420A-GE3 | MOSFET N-CH 500V 3.3A DPAK | 842 注文の詳細 |
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IXFX120N30P3 | MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247-3 | 940 注文の詳細 |
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TJ90S04M3L,LXHQ | MOSFET P-CH 40V 90A DPAK | 2806 注文の詳細 |
在庫あり | 10971 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $435.00000 | $435 |
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