参考まで
部品番号 | BSP318SL6327HTSA1 |
LIXINC Part # | BSP318SL6327HTSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT223-4 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | BSP318SL6327HTSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | BSP318SL6327HTSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | SIPMOS® |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 2.6A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 4.5V, 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 90mOhm @ 2.6A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2V @ 20µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 20 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 380 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 1.8W (Ta) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-SOT223-4 |
パッケージ・ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
EPC2206 | GANFET N-CH 80V 90A DIE | 8009 注文の詳細 |
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RW1C020UNT2R | MOSFET N-CH 20V 2A 6WEMT | 811 注文の詳細 |
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SSM3K15CT(TPL3) | MOSFET N-CH 30V 100MA CST3 | 992 注文の詳細 |
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FQB55N10TM | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | 1151 注文の詳細 |
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FDMC86102LZ | MOSFET N-CH 100V 7A/18A 8MLP | 1583 注文の詳細 |
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IMW120R220M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-3 | 1615 注文の詳細 |
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TSM120N06LCR RLG | MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN | 806 注文の詳細 |
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IXTQ96N20P | MOSFET N-CH 200V 96A TO3P | 975 注文の詳細 |
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IRFBF30STRLPBF | MOSFET N-CH 900V 3.6A TO263 | 1450 注文の詳細 |
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TSM018NB03CR RLG | MOSFET N-CH 30V 29A/194A 8PDFN | 3314 注文の詳細 |
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AUIRLR3705ZTR | MOSFET N-CH 55V 42A DPAK | 1477 注文の詳細 |
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FQP6N40CF | MOSFET N-CH 400V 6A TO220-3 | 3765839 注文の詳細 |
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FCP850N80Z | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N | 10882 注文の詳細 |
在庫あり | 5795753 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.20000 | $0.2 |
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