NVD5867NLT4G

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部品番号 NVD5867NLT4G
LIXINC Part # NVD5867NLT4G
メーカー Rochester Electronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル NVD5867NLT4G PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

NVD5867NLT4G 仕様

部品番号:NVD5867NLT4G
ブランド:Rochester Electronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:Rochester Electronics
シリーズ:Automotive, AEC-Q101
パッケージ:Bulk
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):60 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:6A (Ta), 22A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):-
(最大) @ id、vgs の rds:39mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:2.5V @ 250µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:15 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:675 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):3.3W (Ta), 43W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:DPAK (SINGLE GAUGE)
パッケージ・ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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