参考まで
部品番号 | NVD5867NLT4G |
LIXINC Part # | NVD5867NLT4G |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | NVD5867NLT4G PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | NVD5867NLT4G |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | Automotive, AEC-Q101 |
パッケージ: | Bulk |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 60 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 6A (Ta), 22A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | 39mOhm @ 11A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 2.5V @ 250µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 15 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 675 pF @ 25 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 3.3W (Ta), 43W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ: | Surface Mount |
サプライヤー デバイス パッケージ: | DPAK (SINGLE GAUGE) |
パッケージ・ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
AOTF11N70 | MOSFET N-CH 700V 11A TO220-3F | 948 注文の詳細 |
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DMT3020LFDF-7 | MOSFET N-CH 30V 8.4A 6UDFN | 9557 注文の詳細 |
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STP240N10F7 | MOSFET N-CH 100V 180A TO220 | 3797 注文の詳細 |
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STI270N4F3 | MOSFET N-CH 40V 160A I2PAK | 861 注文の詳細 |
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SPI12N50C3XKSA1 | MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3 | 1484 注文の詳細 |
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IXFA76N15T2 | MOSFET N-CH 150V 76A TO263AA | 2927 注文の詳細 |
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STD7N65M6 | MOSFET N-CH 650V 5A DPAK | 874 注文の詳細 |
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IRFP260MPBF | MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC | 1691 注文の詳細 |
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RSJ151P10TL | MOSFET P-CH 100V 15A LPTS | 1082 注文の詳細 |
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IPN60R1K5CEATMA1 | MOSFET N-CH 600V 5A SOT223 | 3391 注文の詳細 |
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CSD16413Q5A | MOSFET N-CH 25V 24A/100A 8VSON | 1764 注文の詳細 |
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FQP27P06 | MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 | 17967 注文の詳細 |
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NVD5C460NLT4G | MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK | 819 注文の詳細 |
在庫あり | 10812 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.22000 | $0.22 |
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