参考まで
部品番号 | IPI60R385CPXKSA1 |
LIXINC Part # | IPI60R385CPXKSA1 |
メーカー | Rochester Electronics |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 650V 9A TO262-3 |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | IPI60R385CPXKSA1 PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | Jun 15 - Jun 19 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
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部品番号: | IPI60R385CPXKSA1 |
ブランド: | Rochester Electronics |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Rochester Electronics |
シリーズ: | CoolMOS™ |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Obsolete |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 650 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 9A (Tc) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | 10V |
(最大) @ id、vgs の rds: | 385mOhm @ 5.2A, 10V |
vgs(th) (最大) @ ID: | 3.5V @ 340µA |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | 22 nC @ 10 V |
vgs (最大): | ±20V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 790 pF @ 100 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 83W (Tc) |
動作温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | PG-TO262-3 |
パッケージ・ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
BSP321PL6327 | P-CHANNEL MOSFET | 60689 注文の詳細 |
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SI6423DQ-T1-E3 | MOSFET P-CH 12V 8.2A 8TSSOP | 9933 注文の詳細 |
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AOT482L | MOSFET N-CH 80V 11A/105A TO220 | 967 注文の詳細 |
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BSC152N10NSFG | N-CHANNEL POWER MOSFET | 19046 注文の詳細 |
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VMO1200-01F | MOSFET N-CH 100V 1220A Y3-LI | 845 注文の詳細 |
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FCPF20N60 | MOSFET N-CH 600V 20A TO220F | 1864 注文の詳細 |
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NTD80N02T4 | MOSFET N-CH 24V 80A DPAK | 28163 注文の詳細 |
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STD3NK60Z-1 | MOSFET N-CH 600V 2.4A IPAK | 3811 注文の詳細 |
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SSM3J375F,LXHF | AECQ MOSFET PCH -20V -2A SOT346 | 6835 注文の詳細 |
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BUK7Y21-40E115 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 850 注文の詳細 |
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BSC123N08NS3GATMA1 | MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON | 65803 注文の詳細 |
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FQPF10N20 | MOSFET N-CH 200V 6.8A TO220F | 2499 注文の詳細 |
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UF3SC065040D8S | SICFET N-CH 650V 18A 4DFN | 3359 注文の詳細 |
在庫あり | 16980 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.95000 | $0.95 |
500 | $0.95000 | $475 |
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