IPP041N12N3GXKSA1

IPP041N12N3GXKSA1
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部品番号 IPP041N12N3GXKSA1
LIXINC Part # IPP041N12N3GXKSA1
メーカー IR (Infineon Technologies)
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル IPP041N12N3GXKSA1 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 May 19 - May 23 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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IPP041N12N3GXKSA1 仕様

部品番号:IPP041N12N3GXKSA1
ブランド:IR (Infineon Technologies)
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:IR (Infineon Technologies)
シリーズ:OptiMOS™
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):120 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:120A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:4.1mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 270µA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:211 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:13800 pF @ 60 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):300W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:PG-TO220-3
パッケージ・ケース:TO-220-3

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