SCT20N120

SCT20N120
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部品番号 SCT20N120
LIXINC Part # SCT20N120
メーカー STMicroelectronics
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 SICFET N-CH 1200V 20A HIP247
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル SCT20N120 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 May 18 - May 22 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
支払い Wire Transfer, UnionPay, PayPal, Credit Card, Visa, MasterCard, AmericanExpress, Discover, WesternUnion, MoneyGram
運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

SCT20N120 仕様

部品番号:SCT20N120
ブランド:STMicroelectronics
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:STMicroelectronics
シリーズ:-
パッケージ:Tube
部品の状態:Active
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:SiCFET (Silicon Carbide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):1200 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:20A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):20V
(最大) @ id、vgs の rds:290mOhm @ 10A, 20V
vgs(th) (最大) @ ID:3.5V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:45 nC @ 20 V
vgs (最大):+25V, -10V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:650 pF @ 400 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):175W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ:Through Hole
サプライヤー デバイス パッケージ:HiP247™
パッケージ・ケース:TO-247-3

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