PHK12NQ10T,518

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部品番号 PHK12NQ10T,518
LIXINC Part # PHK12NQ10T,518
メーカー NXP Semiconductors
カテゴリー ディスクリート半導体トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
説明 MOSFET N-CH 100V 11.6A 8SO
ライフサイクル アクティブ
RoHS RoHS情報なし
EDA/CAD モデル PHK12NQ10T,518 PCBフットプリントとシンボル
倉庫 アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区
お届け予定日 Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください)
保証 最長1年【限定保証】*
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運送 DHL, UPS, FedEx, TNT, EMS, & More Express Delivery

PHK12NQ10T,518 仕様

部品番号:PHK12NQ10T,518
ブランド:NXP Semiconductors
ライフサイクル:Active
RoHS:Lead free / RoHS Compliant
カテゴリー:ディスクリート半導体
サブカテゴリ:トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
メーカー:NXP Semiconductors
シリーズ:TrenchMOS™
パッケージ:Tape & Reel (TR)
部品の状態:Obsolete
フェチタイプ:N-Channel
テクノロジー:MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン-ソース間電圧 (vdss):100 V
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c:11.6A (Tc)
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン):10V
(最大) @ id、vgs の rds:28mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (最大) @ ID:4V @ 1mA
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs:35 nC @ 10 V
vgs (最大):±20V
入力容量 (ciss) (最大) @ vds:1965 pF @ 25 V
フェチ機能:-
消費電力 (最大):8.9W (Tc)
動作温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ:Surface Mount
サプライヤー デバイス パッケージ:8-SO
パッケージ・ケース:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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