参考まで
部品番号 | 2SK1058-E |
LIXINC Part # | 2SK1058-E |
メーカー | Renesas Electronics America |
カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
説明 | MOSFET N-CH 160V 7A TO3P |
ライフサイクル | アクティブ |
RoHS | RoHS情報なし |
EDA/CAD モデル | 2SK1058-E PCBフットプリントとシンボル |
倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
お届け予定日 | May 19 - May 23 2024(お急ぎ便をお選びください) |
保証 | 最長1年【限定保証】* |
支払い | |
運送 |
部品番号: | 2SK1058-E |
ブランド: | Renesas Electronics America |
ライフサイクル: | Active |
RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
メーカー: | Renesas Electronics America |
シリーズ: | - |
パッケージ: | Tube |
部品の状態: | Active |
フェチタイプ: | N-Channel |
テクノロジー: | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | 160 V |
電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | 7A (Ta) |
ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
(最大) @ id、vgs の rds: | - |
vgs(th) (最大) @ ID: | - |
ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
vgs (最大): | ±15V |
入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | 600 pF @ 10 V |
フェチ機能: | - |
消費電力 (最大): | 100W (Tc) |
動作温度: | 150°C (TJ) |
取付タイプ: | Through Hole |
サプライヤー デバイス パッケージ: | TO-3P |
パッケージ・ケース: | TO-3P-3, SC-65-3 |
IPP80N04S204AKSA1 | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | 887 注文の詳細 |
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FQPF9N08 | MOSFET N-CH 80V 7A TO220F | 848 注文の詳細 |
|
IRF7425 | MOSFET P-CH 20V 15A 8SO | 857 注文の詳細 |
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IRL2203NLPBF | MOSFET N-CH 30V 116A TO262 | 896 注文の詳細 |
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BUK6Y32-60PX | MOSFET P-CH 60V 40A LFPAK56 | 805 注文の詳細 |
|
FQD8P10TM_SB82052 | MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK | 828 注文の詳細 |
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IXFB80N50Q2 | MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264 | 901 注文の詳細 |
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IRFR3711TRR | MOSFET N-CH 20V 100A DPAK | 811 注文の詳細 |
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IRLBA3803 | MOSFET N-CH 30V 179A SUPER-220 | 914 注文の詳細 |
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IRF520STRL | MOSFET N-CH 100V 9.2A D2PAK | 832 注文の詳細 |
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ATP207-S-TL-H | MOSFET N-CH 40V 65A ATPAK | 983 注文の詳細 |
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NTD4960N-1G | MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A IPAK | 955 注文の詳細 |
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IXFR30N110P | MOSFET N-CH 1100V 16A ISOPLUS247 | 925 注文の詳細 |
在庫あり | 10952 - 注文の詳細 |
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見積もり制限 | 制限なし |
リードタイム | 確認予定 |
最小 | 1 |
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Qty. | Unit Price | Ext. Price |
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1 | $0.0000 | $0 |
100 | $0.0000 | $0 |
500 | $0.0000 | $0 |
1000 | $0.0000 | $0 |
2500 | $0.0000 | $0 |
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