参考まで
| 部品番号 | BSS84AKW/DG/B2215 |
| LIXINC Part # | BSS84AKW/DG/B2215 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | P-CHANNEL MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BSS84AKW/DG/B2215 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jun 02 - Jun 06 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BSS84AKW/DG/B2215 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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RJK03P3DPA-00#J5A | N-CHANNEL POWER MOSFET | 816978 注文の詳細 |
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STD3N65M6 | MOSFET N-CH 650V DPAK | 978 注文の詳細 |
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RFM12N10 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 867 注文の詳細 |
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2SJ214STL-E | GENERAL SWITCHING POWER MOSFET | 1806 注文の詳細 |
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STL17N60M6 | MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV | 888 注文の詳細 |
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IXFP18N65X2M | MOSFET N-CH 650V 18A TO220 | 2985 注文の詳細 |
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IMZ120R220M1HXKSA1 | SICFET N-CH 1.2KV 13A TO247-4 | 940 注文の詳細 |
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MCU20N15-TP | N-CHANNEL MOSFET, DPAK PACKAGE | 3332 注文の詳細 |
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UPA2732T1A-E1-AY | P-CHANNEL POWER MOSFET | 3992 注文の詳細 |
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BUK9Y1R9-40HX | BUK9Y1R9-40H/SOT669/LFPAK | 966 注文の詳細 |
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RJK0389DPA-WS#J53 | POWER TRANSISTOR, MOSFET | 3023 注文の詳細 |
|
SIA465EDJ-T1-GE3 | MOSFET P-CH 20V 12A PPAK SC70-6 | 809 注文の詳細 |
|
IRF645 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 970 注文の詳細 |
| 在庫あり | 81932 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.05000 | $0.05 |
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