参考まで
| 部品番号 | BUZ311 |
| LIXINC Part # | BUZ311 |
| メーカー | Rochester Electronics |
| カテゴリー | ディスクリート半導体 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| 説明 | N-CHANNEL POWER MOSFET |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | BUZ311 PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jun 14 - Jun 18 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | BUZ311 |
| ブランド: | Rochester Electronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | ディスクリート半導体 |
| サブカテゴリ: | トランジスタ - FET、MOSFET - シングル |
| メーカー: | Rochester Electronics |
| シリーズ: | * |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| フェチタイプ: | - |
| テクノロジー: | - |
| ドレイン-ソース間電圧 (vdss): | - |
| 電流 - 連続ドレイン (id) @ 25°c: | - |
| ドライブ電圧 (最大 rds オン、最小 rds オン): | - |
| (最大) @ id、vgs の rds: | - |
| vgs(th) (最大) @ ID: | - |
| ゲート電荷 (qg) (最大) @ vgs: | - |
| vgs (最大): | - |
| 入力容量 (ciss) (最大) @ vds: | - |
| フェチ機能: | - |
| 消費電力 (最大): | - |
| 動作温度: | - |
| 取付タイプ: | - |
| サプライヤー デバイス パッケージ: | - |
| パッケージ・ケース: | - |
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PMXB65ENE147 | SMALL SIGNAL FET | 1230967 注文の詳細 |
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FDB9506L-F085 | MOSFET N-CH 30V | 5764 注文の詳細 |
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FDWS9511L-F085 | MOSFET P-CH 40V 30A 8DFN | 991 注文の詳細 |
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SCT30N120D2 | SICFET N-CH 1200V 40A HIP247 | 983 注文の詳細 |
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NVMTS0D7N06CTXG | MOSFET N-CH 60V 60.5A/464A 8DFNW | 918 注文の詳細 |
|
BSF885N03LQ3G | N-CHANNEL POWER MOSFET | 10901 注文の詳細 |
|
FDMT1D3N08B | MOSFET N-CH 80V 164A 8DL COOL88 | 894 注文の詳細 |
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NTBS2D7N06M7 | MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3 | 1774 注文の詳細 |
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IAUC120N04S6N006ATMA1 | IAUC120N04S6N006ATMA1 | 844 注文の詳細 |
|
RQK0202RGDQAWS#H6 | P CH MOS FET POWER SWITCHING | 932 注文の詳細 |
|
MCAC88N12A-TP | N-CHANNEL MOSFET, DFN5060 | 924 注文の詳細 |
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RSQ025P03HZGTR | MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT6 | 3730 注文の詳細 |
|
IRF521 | N-CHANNEL POWER MOSFET | 27458 注文の詳細 |
| 在庫あり | 12299 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $0.83000 | $0.83 |
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