参考まで
| 部品番号 | QD50-0-SD |
| LIXINC Part # | QD50-0-SD |
| メーカー | OSI Optoelectronics |
| カテゴリー | センサー、トランスデューサー › 光センサー - フォトダイオード |
| 説明 | 8 MM DIAMETER QUADRANT SILICON P |
| ライフサイクル | アクティブ |
| RoHS | RoHS情報なし |
| EDA/CAD モデル | QD50-0-SD PCBフットプリントとシンボル |
| 倉庫 | アメリカ、ヨーロッパ、中国、香港特別行政区 |
| お届け予定日 | Jun 13 - Jun 17 2024(お急ぎ便をお選びください) |
| 保証 | 最長1年【限定保証】* |
| 支払い | 
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| 運送 |  |
| 部品番号: | QD50-0-SD |
| ブランド: | OSI Optoelectronics |
| ライフサイクル: | Active |
| RoHS: | Lead free / RoHS Compliant |
| カテゴリー: | センサー、トランスデューサー |
| サブカテゴリ: | 光センサー - フォトダイオード |
| メーカー: | OSI Optoelectronics |
| シリーズ: | O |
| パッケージ: | Bulk |
| 部品の状態: | Active |
| 波長: | 900nm |
| 色 - 強化: | - |
| スペクトル範囲: | - |
| ダイオードタイプ: | - |
| 応答性 @ nm: | 0.54 A/W @ 900nm |
| 反応時間: | 10ns |
| 電圧 - DC 逆 (vr) (最大): | 30 V |
| 現在 - ダーク (標準): | 30nA |
| アクティブエリア: | 50mm² |
| 視野角: | - |
| 動作温度: | -40°C ~ 100°C |
| 取付タイプ: | Through Hole |
| パッケージ・ケース: | TO-8 Style, 6 Leads |
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197-70-72-591 | SENSOR PHOTODIODE 830NM TO66 | 904 注文の詳細 |
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197-23-21-041 | SENSOR PHOTODIODE 660NM TO8 | 906 注文の詳細 |
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VTP4085H | SENSOR PHOTODIODE 925NM 2DIP MOD | 1030 注文の詳細 |
 |
MTD6100PT | SENSOR PHOTODIODE 880NM | 912 注文の詳細 |
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VEMD1160X01 | PHOTODIODE 780 TO 1050 NM | 3953 注文の詳細 |
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C30724PH | SENSOR PHOTODIODE 920NM TO18-2 | 874 注文の詳細 |
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MT03-036 | PHOTODIODE 950NM 7.5MM2 TO-5 | 1095 注文の詳細 |
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BPW 34 FAS-Z | SENSOR PHOTODIODE 880NM 2SMD GW | 837 注文の詳細 |
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MICROFC-10035-SMT-TR | SENSOR PHOTODIODE 420NM 4SMD | 887 注文の詳細 |
 |
WP7113PD1BT/BD-P22 | SENSOR PHOTODIODE 940NM RADIAL | 1190 注文の詳細 |
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MICROFC-30020-SMT-TR | SENSOR PHOTODIODE 420NM 4SMD | 875 注文の詳細 |
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MTPD4400D-1.4 | SENSOR PHOTODIODE 440NM TO46 | 956 注文の詳細 |
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TEMD5120X01 | PHOTODIODE 790 TO 1050 NM | 925 注文の詳細 |
| 在庫あり | 10949 - 注文の詳細 |
|---|---|
| 見積もり制限 | 制限なし |
| リードタイム | 確認予定 |
| 最小 | 1 |
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| Qty. | Unit Price | Ext. Price |
|---|---|---|
| 1 | $431.06000 | $431.06 |
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